型号:
Microchip代理商VP0808L-G
数量:
1000
厂商:
Microchip
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Microchip代理商VP0808L-G在生产中

这种增强模式(norm- off)晶体管利用垂直的DMOS结构和经过验证的硅栅制造工艺。这种组合产生了一种具有双极晶体管的功率处理能力的装置,以及MOS器件内的高输入阻抗和正温度系数。所有金属氧化物半导体结构的特性,该装置不受热失控和热诱导的二次击穿。垂直DMOS FETs适用于非常低的阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速切换速度的大范围的开关和放大应用。

Microchip代理商VP0808L-G特征

无二次击穿

低功率驱动要求

易于并联

低CISS和快速切换速度

优良的热稳定性

积分source-drain二极管

高输入阻抗和高增益

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