TI德州仪器新型即用型600V氮化镓(GaN)场效应晶体管(FET)功率级产品组合可支持高达10kW的应用

发布时间:2018/10/31

(TI)近日宣布推出支持高达10kW应用的新型即用型600 V氮化镓(),50mΩ和70mΩ功率级产品组合。与AC/DC电源、机器人、可再生能源、电网基础设施、电信和个人电子应用中的硅场效应晶体管(FET)相比,LMG341x系   FET器件系列产品通过集成独特的功能和保护特性,来实现简化设计,达到更高的系统可靠性和优化高压电源的性能,为传统级联和独立的 FET提供了智能替代解决方案。通过集成的<100ns电流限制和过温检测,器件可防止意外的直通事件并防止热失控,同时系统接口信号可实现自我监控功能。

  LMG3410R050、LMG3410R070和LMG3411R070的主要特性和优势

  · 更小、更有效的解决方案:与硅金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)相比,的集成GaN功率级可将功率密度提高一倍,并将损耗降低80%。每个器件都具有快速的1MHz开关频率和高达100V/ns的压摆率。

  · 系统可靠性:本产品组合接受了2000万小时的设备可靠性测试,包括加速和应用内硬开关测试。此外,每个器件均提供集成的散热和高速、100ns过流保护,以防止直通和短路情况。

  · 每个功率级的设备:50mΩ或70mΩ条件下,本产品组合中的每个器件均提供一个GaN FET、驱动器并提供保护功能,可为低于100W至10kW的应用提供单芯片解决方案。

 在德国慕尼黑电子展electronica访问德州仪器

  德州仪器(TI)将在德国慕尼黑电子展(2018年11月13日至16日)的C4展厅-131展位展示一个10kW的云网格链接演示。由德州仪器和西门子联合开发的有源演示采用德州仪器的LMG3410R050 600V GaN FET,具有集成驱动器和保护功能,与传统的硅设计相比,帮助工程师实现99%的效率,功率元件尺寸可减少30%。

  封装和供货

  这些器件均采用8mm×8mm分割垫、方形扁平无引脚(QFN)封装,现可从TI商店处购买。LMG3410R050, LMG3410R070和LMG3411R070的订购单位为1000件。

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