低压差线性稳压芯片（即LDO）在各种电子产品上有着极为广泛的应用，市场需求量巨大。提供更为完善的资源，推出了超低功耗的LDO RS3221。RS3221采用CMOS工艺设计，其主要特点如下：
●自身消耗电流低至1µA；
●提供高达200mA的输出电流；
●低Dropout电压，160mV@200mA&3.3V；
●提供更宽的输入电压范围，1.7V~7.5V；
●提供0.8V/1.2V两种VFB电压，覆盖业内常见反馈基准电压。
USB接口或者其他电源接口在热插拔时会产生浪涌电压（见图2），这是电路设计时必须要解决的麻烦问题，普通低压CMOS工艺最高耐压仅为6V，不做特别防浪涌设计下根本不足以承受热插拔时浪涌电压的冲击。
USB接口热插拔浪涌波形：
注：黄色线为浪涌电压，红色线为浪涌电流。
润石科技作为半导体行业的后起之秀，深刻理解应用上的细节要求，RS3221特别采用8V CMOS工艺设计，其宽输入电压范围既可以完美应对USB VBUS接口或其他电源接口热插拔时的浪涌电压，又能覆盖多节干电池、单节锂锰电池和其他纽扣电池的最小放电电压要求，从而提供更佳的方案选择。RS3221提供多种标准封装，包括SOT23-3、SOT23-5、SC70-5、DFN1x1、SOT89-3等，并提供各种常用输出电压，亦接受定制特殊输出电压和封装，欢迎各界工程师朋友评测和选型。
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